芯片超純水設(shè)備產(chǎn)品簡介：

EDI膜堆主要由交替排列的陽離子交換膜、濃水室、陰離子交換膜、淡水室和正、負(fù)電極組成。在直流電場的作用下，淡水室中離子交換樹脂中的陽離子和陰離子沿樹脂和膜構(gòu)成的通道分別向負(fù)極和正極方向遷移，陽離子透過陽離子交換膜，陰離子透過陰離子交換膜，分別進(jìn)入濃水室形成濃水。同時EDI進(jìn)水中的陽離子和陰離子跟離子交換樹脂中的氫離子和氫氧根離子交換，形成超純水(高純水)。電流使水電解產(chǎn)生的大量氫離子和氫氧根離子對離子交換樹脂進(jìn)行連續(xù)的，工作是連續(xù)的。

芯片超純水設(shè)備產(chǎn)品特點(diǎn)：

EDI可代替?zhèn)鹘y(tǒng)的混合離子交換技術(shù)(MB-DI)生產(chǎn)穩(wěn)定的去離子水。EDI技術(shù)與混合離子交換技術(shù)相比有以下優(yōu)點(diǎn):

1、離子交換樹脂的用量少，約相當(dāng)于傳統(tǒng)離子交換法樹脂用量的5%。

2、離子交換樹脂不需酸，節(jié)約大量酸、堿和清洗用水，降低勞動強(qiáng)度。

3、無廢酸、廢堿液排放，是清潔的生產(chǎn)技術(shù)。

4、過程實現(xiàn)自動控制，產(chǎn)水水質(zhì)穩(wěn)定，與RO等水處理技術(shù)相結(jié)合，能形成完善的純水、超純水生產(chǎn)線。

5、產(chǎn)水水質(zhì)高，可達(dá)到國家電子級水I級標(biāo)準(zhǔn)，電阻率為18MΩ·cm。

6、純水生產(chǎn)過程連續(xù)進(jìn)行，無需像離子交換床那樣一套在用一套地重復(fù)設(shè)置

適用范圍：

EDI超純水技術(shù)具有技術(shù)、操作簡便，是清潔生產(chǎn)技術(shù)，在微電子工業(yè)、電力工業(yè)、醫(yī)藥工業(yè)、化工工業(yè)和實驗室等領(lǐng)域得到日趨廣泛的應(yīng)用。

新興的光電材料生產(chǎn)、加工、清洗;LCD液晶顯示屏、PDP等離子顯示屏、高品質(zhì)燈管顯像管、微電子工業(yè)、FPC/PCB線路板、電路板、集成電路需用大量的高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高，對水質(zhì)的要求也越高，這也對超純水處理工藝及產(chǎn)品的簡易性、自動化程度、生產(chǎn)的連續(xù)性、可持續(xù)性等提出了更加嚴(yán)格的要求。

在使用芯片超純水設(shè)備時，需要注意以下幾個方面的事項：

1.安全操作：遵循設(shè)備操作手冊和安全指南，確保正確操作設(shè)備并避免潛在的危險。使用適當(dāng)?shù)膫€人防護(hù)裝備，如手套和護(hù)目鏡。

2.檢查及維護(hù)：定期檢查超純水設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)，包括檢查水質(zhì)、水流率、設(shè)備溫度、壓力等。及時清潔、更換濾芯、離子交換樹脂等關(guān)鍵部件，以保證設(shè)備的正常運(yùn)行和水質(zhì)的穩(wěn)定性。

3.水質(zhì)監(jiān)測：定期對超純水進(jìn)行水質(zhì)監(jiān)測，包括檢測離子含量、有機(jī)物污染、微生物等參數(shù)。確保水質(zhì)符合要求，并采取必要的措施進(jìn)行糾正和優(yōu)化。

4.預(yù)防污染：嚴(yán)格控制外部環(huán)境對超純水的污染，防止空氣中的顆粒物和有機(jī)物進(jìn)入水源。保持設(shè)備周圍的清潔和密閉，避免雜質(zhì)的進(jìn)入。

5.廢水處理：合理處理和處置廢水，以防止廢水對環(huán)境造成污染。遵守當(dāng)?shù)丨h(huán)境法規(guī)，采取適當(dāng)?shù)膹U水處理措施，確保排放符合標(biāo)準(zhǔn)。

6.定期維護(hù)和校準(zhǔn)：按照設(shè)備供應(yīng)商的建議，定期進(jìn)行設(shè)備的維護(hù)和校準(zhǔn)，以確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。

7.儲存和運(yùn)輸：在儲存和運(yùn)輸超純水時，避免與可能引起污染的物質(zhì)接觸，如有機(jī)溶劑、化學(xué)試劑等。使用干凈的容器進(jìn)行存儲，并避免高溫、陽光直射等條件。

請注意，以上提到的事項是一般性建議，具體操作和注意事項可能因設(shè)備型號和廠商要求而有所不同。